新的AFT09VP350N产品是业内首个专门为720 - 960 MHz频段中的多载波GSM和多标准宏蜂窝应用而设计的48V LDMOS晶体管。当在Doherty配置中使用时，该器件只需一个晶体管包就可达到57 dBm（500W）的峰值功率，其功率容量几乎是其他同等尺寸LDMOS解决方案的两倍。相比之下，目前平均可达40W-60W的大功率发射机通常需要使用两个或三个独立封装的器件才能达到此峰值功率水平。
在为920 - 960 MHz频带设计的Doherty电路中，AFT09VP350N以50 dBm（100W）平均输出功率就达到了50％的效率，实现19dB以上的增益，同时符合严格的多载波GSM校正线性规范。飞思卡尔颇具成本效益的超模压塑料OMNI封装具有超低热阻，可进一步提升效率。由于每瓦测量的器件漏源级电容量减少了50％，AFT09VP350N的瞬时信号带宽能力可高达100 MHz。
新的Airfast系列产品中，处于功率和频谱另一端的是28V AFT26HW050GS LDMOS晶体管。该产品专为2500-2700 MHz之间的宽瞬时宽带微蜂窝和Metro蜂窝LTE应用而设计。与AFT09VP350N类似，在Doherty兼容的配置中，AFT26HW050GS在一个单独封装内包含两个相互匹配的独立晶体管。在为2620-2690 MHz频带设计的Doherty电路中，AFT26HW050GS提供47 dBm（50W）的峰值功率，在39 dBm（8W）的平均功率时可实现超过15.5 dB 的Doherty增益和48％的效率。在这些条件下，该器件使用20 MHz LTE测试信号可将DPD校正到-54 dBc。针对5W-7W发射器，这个效率相对以前的飞思卡尔LDMOS解决方案，提高了七个点，也是业界目前在这个频率中达到的最高硅片Doherty效率记录。除了高增益和效率外，AFT26HW050GS还支持超过100 MHz的瞬时信号带宽。此外，该器件放置在一个生产友好型、表面贴装的气腔封装中，使器件可安装在嵌入式模压板上，或者通过热和电接地阵列简化器件安装。
Airfast射频功率解决方案旨在同时满足效率提升、峰值功率和信号带宽需求，另外还能应对降低成本的持续压力。最新的Airfast器件带宽比上一代产品增加了两到三倍，可使OEM厂商简化产品组合，降低系统成本并制造出宽频带和多制式的放大器。
该产品强调了AFT09VP350N中采用48V技术的成本效益，帮助OEM厂商以更少的组件创建下一代发射机。组件的减少加之产品的低热阻塑料封装可以使功率放大器的尺寸缩小并降低成本，从而为无线网络运营商提供更小、更轻的远程射频头。AFT26HW050GS还利用生产友好型、表面贴装的气腔封装，进一步优化了成本。此配置加上大幅提高的效率，消除了对昂贵铜板或模压板的需求，从而减轻了重量并降低了系统成本。因此，无线设备可以更小、更轻、更具成本效益。
AFT09VP350N和AFT26HW050GS连同参考设计及其他支持工具计划于2012年第二季度全面提供样品。欲获取样品和价格信息，请与飞思卡尔当地销售办事处联系。2012年全年将推出更多器件，涉及一系列蜂窝频段和功率电平。
