本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装，于2011年9月中旬开始提供样品（样品价格：1000日元/个），并已于2011年12月份开始投入量产。
随着节能趋势渐行渐强，作为可再生能源的代表，太阳能发电市场规模不断扩大。其功率调节器领域，正在努力通过电源转换效率的改善实现节电，因此对实现更低损耗的功率MOSFET的需求不断高涨。罗姆此前也一直利用多层外延生长方式，为客户提供多层纵向pn结的超结结构的功率MOSFET，持续为高效化作出了贡献。但是，由于这种方式的制造工序复杂，因此具有难于微细化和提高生产性能的课题。
此次，罗姆采用纵向p层一次成型的Si深蚀刻技术，通过微细化及杂质浓度的优化，与传统产品相比，将导通电阻成功降低了约47％。此产品不仅非常适合低导通电阻容易体现出来的转换器部分，而且与罗姆制造的快速恢复二极管或SiC肖特基势垒二极管等相组合，还可应用于逆变器。由于可以大幅降低电源转换时的损耗，因此将会大大有助于提高太阳能发电的效率。另外，为了适用于更多种类的电路方式，罗姆在采用本技术进一步完善高耐压产品线的同时，还将不断扩充“PrestoMOS™”系列。
罗姆今后也会继续利用独创的先进工艺加工技术，不断推进满足顾客需求的前瞻性晶体管产品的开发。
＜高耐压功率MOSFET“R5050DNZ0C9”的主要特点＞
１） 业内顶级的低导通电阻
２） 具有卓越散热性能的TO247PLUS封装
＜利用了Si深蚀刻技术的超结结构＞
采用纵向p层一次成型的Si深蚀刻技术。
不仅可简化工序，而且适合微细化。
＜导通电阻降低47％＞ ※以传统产品为“1”为例
