瑞萨电子株式会社正式宣布：推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在内的7款功率MOSFET（金属氧化物 半导体场效应晶体管）产品。新产品主要面向汽车电子控制单元（如引擎控制单元和泵电机控制单元）的应用，采用了8引脚HSON封装，在实现封装尺寸小于原 有TO-252产品约一半的同时，还可实现高达75A的电流。
作为半导体元件的MOSFET，由3个端子——栅极、漏极和源极组成，用于开 关元件，可以通过向栅极发出信号来控制漏极和源极之间的导通。而功率MOSFET，则是用于处理几十安培或更高电流的产品。由于功率MOSFET用于实现 大电流开关，因此降低元件产生的热量就变得尤为重要。为了解决这个问题，原来的功率MOSFET在设计上选择了具有出色散热特性的大封装。然而，随着用于 汽车使用的电子控制单元数量的逐年增加，电子元件也逐步朝着外形更小巧、功能更强大的方向发展。这种趋势引发了对更小巧的功率MOSFET的需求。
此 次瑞萨电子推出的新款功率MOSFET产品正是为了满足上述需求。它们采用全新开发、适于汽车电子系统的8引脚HSON封装，同时保持了与早期 MOSFET产品相同的性能。
新产品包括额定电压为40V和60V的N-沟道MOSFET与额定电压为-30V的P-沟道MOSFET，可 以用作各类线圈、电机和电池反向保护装置的开关等。其主要特性如下：
(1) 封装尺寸小，约为现有产品（TO-252）的一半
新款
产品所使用的全新8引脚HSON封装，其表面积为TO-252封装的一半。除了尺寸小以外，NP75N04YUG还能够保证实现1.09°C/W的沟道-
外壳热阻（注释1）。这就意味着，在外壳温度固定在25°C的情况下，它可以处理138W的最高连续功率。因此，可以说其性能与采用TO-252封装的产
品一样高。而其小于原有产品约一半的尺寸，则有助于设计出更小的汽车控制单元。
(2) 处理高达75A的大电流
新款产品在芯片和引
脚之间采用了在汽车应用领域具有出色记录的铝互连线。同时，多引线连接的设计也有助于改善大电流特性。因此，NP74N04YUG、NP75N04YUG
和NP75P03YDG这3款产品的功率MOSFET均可保证处理75A的连续电流。
(3) 在高达175°C的沟道温度下仍能保持其高性
能
新款功率MOSFET产品在175°C的温度下通过了1,000小时耐久性试验，符合AEC-Q101标准对汽车应用可靠性的要求。这就意味着
这些MOSFET产品适于在高温环境下使用，如发动机舱等。
瑞萨电子相信，新款功率MOSFET产品会实现更小巧的汽车控制单元，使得系统 设计者能够有效利用汽车内的有限空间，并能为其增添更为高级的功能。
注释1.沟道-外壳热阻:这是一个用以说明热量从沟道（芯片上发热部 分）中散出的难易程度的指数。 数值越小越好。
