采用PowerPAK® SO-8封装的P沟道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω，可用于移动计算
宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 1 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4.5V电压下的导通电阻分别低至0.0016Ω和0.0020Ω，可提高移动电子设备的效率。
Si7157DP适用于笔记本电脑的电源管理中的负载和电池开关。现在的设计师承受着让这些器件更薄更轻的压力，这意味着要减小电池尺寸，进而缩短使用寿命。与此同时，图形处理和Wi-Fi等功能又在增加对电池的使用，使得电源效率成为设计的首要目标。
Si7157DP的低导通电阻使设计者能够在其电路里实现更低的压降和传导损耗，更有效地使用电能，并延长电池寿命，尤其是在峰值负载下，同时其小尺寸6.15mm x 5.15mm PowerPAK® SO-8封装占位面积可节省宝贵的PCB空间。器件在峰值电流下的低压降还提供了欠压锁定电平以上更大的电压裕度，有助于防止在带负载时下出现不希望的欠压锁定情况。
Si7157DP进行了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。像其他Vishay Siliconix P沟道Gen III MOSFET一样，Si7157DP采用最先进的工艺技术制造，把10亿个晶体管元胞放进1平方英寸的硅片里。有关公司P沟道Gen III MOSFET的更多信息，请访问http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
新款P沟道MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十六周。
