英飞凌第二代SiC肖特基二极管

英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离套管和隔离膜，使安装更加简易、可靠。

独具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准非隔离TO-220器件类似。这要归功于英飞凌已获得专利的扩散焊接工艺，该技术大大降低了内部芯片到管 脚的热阻，有效地弥补了FullPAK内部隔离层的散热缺陷。英飞凌推出的600 V FullPAK产品系列的额定电流范围为2 A至6 A，是业界采用这种封装的SiC二极管最全的产品系列。

碳化硅（SiC）是一种适用于功率半导体的革命性材料，其物理属性远远优于硅功率器 件。关键特性包括标杆性的开关性能、没有反向恢复电流、温度几乎不会影响开关行为和标准工作温度范围为-55°至175°C。SiC肖特基二极管的主要应 用领域有，开关电源（SMPS）中的有源功率因素校正（PFC），以及诸如太阳能逆变器和电机驱动装置等其他AC/DC和DC/DC功率转换应用。 FullPAK产品系列特别适用于平板显示器（LCD/PDP）和计算机中的电源应用。

早在2001年，英飞凌就率先推出了全球第一款 SiC肖特基二极管。过去几年，英飞凌的SiC肖特基二极管技术已经在诸如抗浪涌电流稳定性、开关性能、产品成本和封装等方面，取得了许多显著进步，进一 步发挥了SiC技术的优越性。SiC肖特基二极管有两个电压级别：600 V和1200 V。