日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电阻低至1.0Ω。低RDS(on)意味着低传导损耗，可以在用于LIPS逆变器、HID、PC电源和镇流器的LLC、全桥、半桥和双管正激拓扑中节省能源。
为了能可靠地工作，该器件进行了完备的雪崩测试，可处理22A的脉冲峰值电流和8A的连续电流(由最高结温限定)。SiHF8N50L-E3采用TO-220 FULLPAK封装，符合RoHS指令2002/95/EC。 
