三星或将在2纳米阶段弯道超车台积电

2021-08-10 12:55:50 来源:EETOP
外媒指出,因三星3 纳米先采用全环绕栅极晶体管(Gate-all-around,GAA)制程,芯片代工龙头台积电预计2 纳米才开始使用GAA 制程,此提高芯片运算效能及降低功耗的技术,将成为先进半导体制程竞争的新战场,也成为三星领先台积电的关键。

韩国媒体《BusinessKorea》报道,相较鳍式晶体管(FinFET),GAA 是金属闸极全面性包覆,为环状结构,比FinFET 金属闸极只包覆3 面来说,增加更多半导体电路,再以闸极包覆纳米线,提高电路控制和稳定性,提升芯片运算效能,并降低芯片功耗。

因GAA 技术是半导体制程革新,因此被三星视为超车台积电的重要武器。报道指出,虽然就3 纳米制程发展状况,台积电开始与苹果、英特尔合作3 纳米制程测试,预计2022 下半年量产,而三星3 纳米制程最快要到2022 年才会推出,正式量产时间则到2023 年,仍旧落后台积电英特尔目前还在7 纳米制程,落后台积电与三星约一代。

若从导入GAA 制程角度来看,三星就可能超越台积电。原因是三星2022 年就开始试产3 纳米制程导入GAA,但台积电要到2023 年才开始由2 纳米导入GAA,更不用说英特尔2024 年才采用改良自GAA 制程技术的RibbonFET 制程生产2 纳米。三星进一步领先竞争对手,也有机会取得客户青睐。

虽然市场第一个量产3 纳米制程的头衔将由台积电拿下,但先导入GAA 制程技术是三星。透过GAA 制程改变,三星预计可弯道超车台积电

李在镕出狱将寻找更多大规模并购,实现弯道超车台积电

此外三星电子副会长李在镕将于本周五(13日)假释出狱,但能否立即复职还有变数。李在镕入狱后的几个月,全球陷入芯片荒的状态,而外媒认为李在镕这次假释出狱有助于重大并购以及在美投资案。

法务部长朴范界表示,考虑到民众情绪、李在镕狱中态度,以及Covid-19 疫情对国家和全球经济等因素,决定给予李在镕假释机会。而李在镕已经在上个月服满6成刑期,符合假释规定的服满5 到9 成刑期。

虽然李在镕本周五可以假释出狱,但依照韩国规定,假释后的5年内必须受就业限制。

李在镕今年1 月因涉及与韩国前总统朴槿惠亲信干政事件有关的行贿案,被韩国首尔高等法院判处有期徒刑2 年6 个月,当庭逮捕,扣除2017 年先遭羁押的时间,剩约1 年半刑期,原本预计明年中刑满。

在他入狱后的几个月,全球半导体产业供应紧张,加上三星促成了美国Covid-19 疫苗交易,使商界领袖和政治家不断要求当局释放李在镕。但社运人士批评,此举证明韩国对于财阀有特别优待。

彭博社认为,李在镕如果重返三星,很可能加快美国170 亿美元的投资计划或重大并购。三星已经宣布计划在美建立芯片厂,以缩小跟台积电的差距,该举动同时也促成三星生物制剂(SamsungBiologics)与莫德纳生产疫苗的协议。

花旗分析师Peter Lee则认为,李在镕出狱后,三星将寻找更多大规模并购的机会,推动公司的长期成长,实现弯道超车台积电

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