林本坚表示，当制程从5微米到5纳米，走了21个技术世代，不仅把集成电路的周距缩小到千分之一以下，也把线路面积缩小到百万分之一。在微影制程微缩的过程当中，搭配使用的曝光光源波长也越来越短，从汞灯光源（436纳米）一路缩小到极紫外光EUV（13.5纳米）。
「浸润式微影技术则是让制程可以继续微缩的关键之一。」林本坚表示，在2002年的演讲中宣布透过以水为介质的193纳米浸润式微影技术。193纳米除以超纯水的折射率1.44，产生134纳米波长的光，可提高分辨率，突破157纳米干式微影限制，并且没有氟化钙质和量的问题，不需要把光经过的空间充满氮气，也不需要研发157纳米可用的光罩保护膜，并解决光阻吸收率与抗蚀刻率的问题。
因为浸润式微影技术突破，让半导体制程一路从65纳米微缩到45纳米，并且把摩尔定律延伸了6个世代（12年），从45纳米、28纳米、20纳米、16纳米、10纳米，延伸至7纳米世代。
林本坚表示，极紫外光微影（EUV)暨浸润式微影之后把量产延伸到5纳米、3纳米及2纳米等世代，且在继续延伸之中。它的重点在把光的波长缩短到13.5纳米，以提高分辨率。因波长剧烈地缩短所引出的各种困难已得到适度的解决，却仍有许多可研发改进的机会。
林本坚在演说中也点出，半导体科技已经进化到不是任何国家和地区可以全部垄断，因为半导体设备包括设计、光源、材料、蚀刻、沉积、检测、量产等不同关键技术，分布在美国、荷兰、德国、日本、台湾地区、韩国等国家和地区，所以是无法由单一国家进行半导体科技垄断。
