MESA位于新墨西哥州美国能源部的桑迪亚国家实验室。美国政府还将再投资1亿7千万美元，以改善明尼苏达州布卢明顿市SkyWater Technology Foundry的防辐射芯片生产线，以满足美国国防部的其他需求。
MESA 工厂一直在为美国生产抗辐射芯片“核武库维持了几十年。然而，尽管这些芯片已经足够先进，可以可靠地工作而不会受到辐射的破坏，但它们仍在使用一种非常过时的350nm制程技术，这种技术早在1994年就首次用于消费芯片。
该工厂还生产150mm的晶圆，其尺寸与工艺节点差不多，也是高度过时了。目前，最先进的晶圆厂可生产300mm晶圆，并且200mm晶圆的供应量也非常旺盛。
但是美联储对升级MESA晶圆厂并不感兴趣，因为该技术已经使用了二十多年。相反，升级是为了更好的获取为制造150mm晶圆所用到工具的零部件和原材料。
MESA已经完成了四步过程的第一步，这将使该工厂生产200mm晶圆。转换涉及重建化学配方，调整数百个工艺参数和进行广泛的测试。升级应在2021年7月之前完成。
该设施还将并行升级至180nm工艺，这将使核武器芯片的晶体管密度增加一倍。
MESA的微细加工高级经理Michael Holmes表示，尽管他们的主要目标是制造抗辐射芯片，但对技术进行扩展以提供更密集和更复杂的逻辑功能也很重要。
资助SkyWater 代工厂 90nm工艺
美国防部还为SkyWater Technology代工厂提供了1.7亿美元的资金，以开发用于抗辐射芯片和铜互连的90nm工艺。SkyWater应该能够使用这个“较新的”工艺节点来构建芯片，因为抗辐射要求不像Sandia的MESA设施那么严格。SkyWater的芯片将用于国防部的军事装备和太空。
SkyWater的抗辐射工艺依赖于绝缘体上硅（SOI）技术，该技术使用硅晶片，并在晶体管层下方埋有一层氧化物。SOI芯片在本质上比常规硅芯片更耐辐射，因为普通硅芯片会产生电荷，当它们受到辐射撞击时会干扰芯片的运行。可替代地，在SOI芯片中，氧化物层防止了由辐射引起的电荷到达晶体管层。
SkyWater还将用铜代替互连线中铝的使用，这是消费芯片行业在15年前做出的这一举动。在不久的将来，铜互连的使用以及对65nm和45nm工艺技术的支持意味着SkyWater将能够制造类似于现代消费类芯片的芯片。这样，该公司将能够制造用于物联网，小芯片和硅中介层的高端混合信号芯片。
美国政府将为SkyWater设施升级的第一阶段提供8000万美元的资金，其余资金将用于下一阶段。
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