D类放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增强型高电子迁移率晶体管 (E-HEMT)。E-HEMT采用GaN Systems的岛技术 (Island Technology®) 单元布局以减小器件尺寸和成本，同时提供比其他GaN器件更高的电流和更优异的性能。D类放大器中采用的GaN Systems GS61008P是一种底部冷却的100 V、90 A E-HEMT，可以很轻松地从各种GaN驱动器直接驱动。SMPS 中采用的GaN Systems GS66506T为顶部冷却的650 V、22.5 A E-HEMT，很容易从标准PFC和LLC控制器驱动。这两种晶体管都提供快速开关、零反向恢复电荷和低输出电容。
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