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标签:GaN
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瑞萨电子推出全新<font color="#f00">GaN</font> FET,增强高密度功率转换能力,
2025-07-04 09:16:14
重大突破:华人科学家世界首创60GHz
GaN
IMPATT 振荡器!
2025-01-09 11:38:53
微电子所
GaN
器件研究取得重要进展!
2024-10-10 12:17:45
300 mm
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的成本将逐渐与硅的成本持平
2024-09-11 18:42:33
SK启方半导体加大力度开发
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新一代功率半导体
2024-06-20 08:32:09
德州仪器推出先进的
GaN
IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高压电机
2024-06-18 12:18:58
CGD新型ICe<font color="#f00">GaN</font> <font color="#f00">GaN</font>功率IC使
2024-06-12 10:11:10
CGD为电机控制带来
GaN
优势
2024-06-11 16:59:07
GaN
FET让您实现高性能D类音频放大器
2024-04-10 13:03:15
EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的
GaN
FET
2024-03-05 10:33:31
Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件,针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转
2024-01-18 11:03:06
瑞萨收购Transphorm,利用
GaN
技术扩展电源产品阵容
2024-01-16 08:24:03
Transphorm与伟诠电子合作推出氮化镓系统级封装器件,支持多功率等级,为客户创造竞争
2023-12-28 12:25:09
Transphorm发布两款应用于两轮和三轮电动车电池充电器的参考设计
2023-12-21 16:18:02
Transphorm推出TOLL封装FET,将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件
2023-11-07 21:23:56
常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比[Transphorm 最新技术白皮书]
2023-10-19 12:27:02
CG的ICe
GaN
HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”
2023-10-10 07:44:35
自动执行宽禁带 SiC/
GaN
器件的双脉冲测试
2023-09-06 08:19:10
自动执行宽禁带 SiC/
GaN
器件的双脉冲测试
2023-09-05 14:26:23
GaN
如何在基于图腾柱 PFC 的电源设计中实现高效率
2023-08-04 09:46:04
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