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首页> 标签:GaN 总共有 66 条记录
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  • GaN如何改进光伏充电控制器2025-07-25 13:16:16
  • 瑞萨电子推出全新<font color="#f00">GaN</font> FET,增强高密度功率转换能力, 2025-07-04 09:16:14
  • 重大突破:华人科学家世界首创60GHz GaN IMPATT 振荡器!2025-01-09 11:38:53
  • 微电子所GaN器件研究取得重要进展!2024-10-10 12:17:45
  • 300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平2024-09-11 18:42:33
  • SK启方半导体加大力度开发GaN新一代功率半导体2024-06-20 08:32:09
  • 德州仪器推出先进的GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高压电机 2024-06-18 12:18:58
  • CGD新型ICe<font color="#f00">GaN</font> <font color="#f00">GaN</font>功率IC使2024-06-12 10:11:10
  • CGD为电机控制带来GaN优势2024-06-11 16:59:07
  • GaN FET让您实现高性能D类音频放大器2024-04-10 13:03:15
  • EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET2024-03-05 10:33:31
  • Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件,针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转2024-01-18 11:03:06
  • 瑞萨收购Transphorm,利用GaN技术扩展电源产品阵容2024-01-16 08:24:03
  • Transphorm与伟诠电子合作推出氮化镓系统级封装器件,支持多功率等级,为客户创造竞争2023-12-28 12:25:09
  • Transphorm发布两款应用于两轮和三轮电动车电池充电器的参考设计2023-12-21 16:18:02
  • Transphorm推出TOLL封装FET,将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件2023-11-07 21:23:56
  • 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比[Transphorm 最新技术白皮书]2023-10-19 12:27:02
  • CG的ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”2023-10-10 07:44:35
  • 自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试2023-09-06 08:19:10
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