专利摘要显示，该申请提供一种石墨烯场效应晶体管，涉及半导体技术领域，可提高器件输出电阻，从而提高开关比，实现更好的射频性能。一种石墨烯场效应晶体管，包括：衬底、第一栅电极、第二栅电极、第一栅介质层、第二栅介质层、沟道层以及源电极和漏电极。
此外，沟道层的材料包括 AB 堆垛双层石墨烯或者 AB 堆垛多层石墨烯；第一栅电极和第一栅介质层设置于沟道层的一侧，第二栅电极和第二栅介质层设置于沟道层的另一侧；第一栅电极包括多个间隔设置的第一子电极以及第一连接子电极；第一子电极的延伸方向与源电极和漏电极的间距方向交叉，第一连接子电极与沟道层在衬底上的投影无交叠；第一子电极和第二栅电极用于向沟道层提供垂直于沟道层的纵向电场。
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