台积电没有透露3nm Plus相比于3nm有何变化，但是显然会有更高的晶体管密度、更低的功耗、更高的运行频率。
按照台积电的说法，3nm工艺相比于5nm可带来最多70％的晶体管密度增加，或者最多15％的性能提升，或者最多30％的功耗降低。
此外，台积电最近在2nm工艺上取得了重大内部突破，预计有望在2023年下半年进行风险性试产，2024年投入量产，同时继续挺进1nm工艺。
台积电在3nm工艺上将延续FinFET(鳍式场效应晶体管)，2nm上则会首次引入全新的MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，也就是纳米片(nanosheet)，可视为从二维到三维的跨越，能够大大改进电路控制，降低漏电率。
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