目前公司正在配合客户需求，开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖5纳米以下刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。
在3D闪存领域，中微半导体电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层的量产，同时根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。
此外，中微公司的电感性等离子刻蚀设备已在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产。
根据客户的技术发展需求，正在进行下一代产品的技术研发，以满足7纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品的ICP刻蚀需求，并进行高产出的ICP刻蚀设备的研发。
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