紫光进军DRAM的机遇与挑战:2021年完工,制程开发将是量产最大挑战

2019-09-11 13:05:12 来源:半导体专业研究机构集邦咨询
清华紫光集团于2019年 8月27日宣布,已与重庆市政府签署了一项协议,拟在渝建立研发中心和DRAM晶圆厂。其计划在重庆的两江新区自2019年底开始这些设施的建设,并在2021年完成。集邦TrendForce认为这次事件是中国在内存产品的供应实现自给自足坚定的决心的另一个显著表现。中美贸易争端的不断升级,以及福建晋华被美国政府列入黑名单的状况,迫使中国加倍努力建设本国DRAM产业。


此前,紫光集团在6月30日发布声明,确认建立DRAM事业群,由曾任工信部电子司司长刁石京出任董事长,并由高启全担任首席执行官。DRAM事业群的组建以显现出紫光集团深化了其与国家的合作关系。这一行动也确认了中国致力于扩大其国内半导体制造至更先进的内存产品。


根据集邦TrendForce目前的评估,紫光集团DRAM事业群将面临的首个重大挑战就是其制程技术的开发。与福建晋华和长鑫存储不同之处在于,紫光集团没有外部合作伙伴能够提供其关键技术。福建晋华,不论其已被列入美国政府的实体清单,业已透过与其昔日合作伙伴中国台湾联电获得了相对应的技术。福建晋华通过与中国台湾联电的合作,曾经是有可能实现其最初制定的产品与技术开发时间表。同样,长鑫存储也已通过奇梦达的关键技术许可授权来进行其DRAM产品研发。然而,在紫光集团的情况中,虽然其子公司紫光国芯微电子有能力协同设计内存产品,其DRAM事业群却没有所必需的生产能力。


若紫光集团欲自建其DRAM生产制程,则另需要长达三到五年的全心努力与投入。所以即使其重庆晶圆厂按时落成,并按计划在2021年开始小规模试产,也会需要很长的一段时间来使得该厂的运营达到规模经济。


既然紫光集团缺乏制程技术的研发能力,自然会将希望落在首席执行官高启全吸引行业人才的能力之上,借由此加强其DRAM事业群。同样值得注意的是,高启全在紫光集团的五年任期将于2020年结束。其任期的行将结束,是否会影响到紫光集团DRAM产业策略值得密切观察。


集邦TrendForce同时想指出,这已不是紫光集团第一次试图进入DRAM市场了。该公司早在2014年,便宣布其发展DRAM产品的决心。然而,该计划后来被搁置。因为紫光集团必须考虑更广泛的战略产业发展和不同区域经济发展之间所必须的平衡。此外,其也定位了开发NAND闪存为更高的优先级。


紫光集团把其焦点转移回DRAM的主要原因系此前福建晋华受到了美国对转移技术的出口限制。自去年11月以来,该处罚已引发了福建晋华在其生产计划和研发路线图上很大程度的不确定性。而中国国内另一家DRAM制造商长鑫存储则计划在今年年底开始批量生产,并在最早2020年年底实现可观的大规模生生产。目前从国家角度来看,仅有一家国内存储公司并不足以推动自给自足的DRAM产品供应。尤其面对着与美国贸易争端的阻力。


总而言之,紫光集团凭着现时其他本土存储器公司遇到的困境,和国际贸易中不断增加的外部紧张局势,应该重拾起研发和生产DRAM的历史使命。


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