三星 17 日宣布，独立领先业界运用 10 纳米鳍式场效电晶体（FinFET）制程生产 SRAM（静态随机存取内存），意谓着三星 10 纳米制程技术或许已经超越台积电，甚至连芯片龙头英特尔（Intel）都被三星超车。
SRAM 速度比 DRAM 快，常被当作中央处理器（CPU）的快取内存，藉以提高 CPU 存取效率。台积电与英特尔在 SRAM 制程技术上，目前还分别停留在 16 与 14 纳米。
三星成功开发新世代 SRAM，也代表其处理器制程工艺进阶至 10 纳米的过程相当顺利，估计有望在 2017 年初进入全面量产，将使三星争抢处理器代工订单占得有利位置。（ETnews.com）
与 14 纳米 SRAM 相比，10 纳米可将 128MB 内存单位储存面积缩小 37.5%，配合 10 纳米打造的处理器，不仅运算效能加快且占用空间更小。三星希望明年底将 10 纳米完成商业化。
另外，三星还同时将平面 NAND 快闪内存制程技术从 16 纳米推进至 14 纳米，将可降低生产成本、改善营利率。东芝、美光目前还停留在 15-16 纳米制程阶段，并认为这是平面 NAND 内存制程的极致，之后将朝 3D 堆叠发展。不过在三星做出突破后，或许平面 NAND 还有进一步延展的可能。
