Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率

2020-10-28 09:10:25 来源:Vishay
2020年10月27日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT,可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm单体封装中集成高边和低边MOSFET,导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)达到业界出色水平。
 
SiZ240DT中的两个TrenchFET® MOSFET内部采用半桥配置连接。SiZ240DT的通道1 MOSFET,通常用作同步降压转换器的控制开关,10 V时最大导通电阻为8.05 mΩ,4.5 V时为12.25 mΩ。通道2 MOSFET,通常用作同步开关,10 V时导通电阻为8.41 mΩ,4.5 V时为13.30 mΩ。这些值比紧随其后的竞品低16 %。结合6.9 nC(通道1)和6.5 nC(通道2)低栅极电荷,导通电阻与栅极电荷乘积FOM比位居第二的器件低14 %,有助于提高快速开关应用的效率。
 
日前发布的双MOSFET比采用6 mm x 5 mm封装的双器件小65 %,是目前市场上体积最小的集成产品之一。除用于同步降压,DC/DC转换半桥功率级之外,新型器件还为设计师提供节省空间的解决方案,适用于真空吸尘器、无人机、电动工具、家庭/办公自动化和非植入式医疗设备的电机控制,以及电信设备和服务器的无线充电器和开关电源
 
集成式MOSFET采用无导线内部结构,最大限度降低寄生电感实现高频开关,从而减小磁器件和最终设计的尺寸。其优化的Qgd / Qgs比降低噪声,进一步增强器件的开关特性。SiZ240DT经过100 % Rg和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。
 
新型双MOSFET现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为12周。
 
VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of techÔ。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com


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