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标签:GAA
总共有 28 条记录
三星憋大招!首款3nm旗舰问世,单核跑分却大幅落后小米玄戒O1
2025-06-24 18:47:20
imec颠覆晶体管设计!新技术可用于0.7纳米,剑指CFET过渡
2025-06-19 18:27:07
硅之后,半导体革命
2024-01-20 11:29:31
英特尔、三星、台积电展示3D堆叠晶体管--CFET
2023-12-24 11:07:00
有关三星 1.4 纳米工艺,首批细节浮出水面
2023-10-31 11:11:50
晶体管级的堆叠!下一代晶体管技术:CFET,将全面替代<font color="#f00">GAA</font>
2023-10-06 11:59:34
实锤!三星 3nm
GAA
正式商业量产,首家客户及芯片型号被曝光!
2023-07-19 12:05:56
韩媒:三星3nm良率已超越台积电!
2023-07-18 12:28:58
日本派出百名工程师奔赴IBM,学习2纳米技术
2023-06-03 10:07:26
三星将发布第二代3nm工艺
2023-05-10 12:32:46
三星 3纳米
GAA
良率稳步提升!高通或重回三星怀抱
2023-05-02 11:01:38
三星3纳米
GAA
制程良率仅20%!急寻美国合作伙伴改进
2022-11-22 17:04:06
1片晶圆突破14万!台积电3nm价格大涨!
2022-11-22 12:39:49
据韩媒报道,三星(Samsung)否认3纳米因良率低于预期故延后量产传言,并传出将在下周
2022-06-23 12:52:20
重磅!0.2nm路线图来了!详细讲解技术实现!
2022-05-23 10:12:31
美国应用材料公司用于下一代3nm和
GAA
的半导体设备简介
2022-05-13 10:55:45
英特尔关键技术新突破:互连密度提升10倍、晶体管微缩提升50%!台积电、三星将面临新
2021-12-22 09:48:21
看不惯台积电太优待苹果,传AMD将跳槽三星3纳米
2021-11-28 13:47:23
取代
GAA
的下一代晶体管技术--CasFET(级联场效应晶体管)
2021-09-22 12:46:03
台积电3纳米今年试产!与5nm、7nm 100% IP 兼容!
2021-01-07 09:50:12
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