三星3纳米 GAA 制程良率仅20%!急寻美国合作伙伴改进

2022-11-22 17:04:06 来源:EETOP

三星在今年6月底宣布,其位于韩国的华城工厂开始生产3纳米芯片,使用新的GAA (gate -全能)结构晶体管技术。三星方面表示,与最初使用FinFET的5nm工艺相比,第一代3nm GAA工艺节点在功耗、性能和面积(PPA)方面都有不同程度的改善,面积减少16%,性能提高23%,功耗降低45%。到第二代3nm芯片时,面积减小了35%,性能提高了30%,功耗降低了50%。

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虽然三星在3nm工艺节点上似乎领先了一步,但实际生产并非一帆风顺。根据ctee的报告,与之前的4/5nm工艺一样,三星在3nm GAA工艺的生产中也遇到了挫折,良率只有20%。正是因为三星在4/5nm制程上的低良率,才迫使高通等主要客户将旗舰SoC订单转移给台积电

据外媒报道,为了克服生产过程中遇到的诸多障碍,三星选择与美国Silicon Frontline Technology公司合作,协助其提高3nm GAA工艺的良率。

至于,为什么Silicon Frontline Technology 是理想的合作伙伴,原因是该公司已经藉由水质和静电放电(ESD)预防技术降低生产过程中的缺陷,以提高晶圆的生产良率。

报道称调,静电放电是晶圆生产过程中产生缺陷的主要原因,这可以解释三星3纳米GAA 技术的良率过低的状况。到目前为止,虽然三星号称已经透过整合其合作伙伴使用的技术获得了积极成果,但实际成果还需要在未来几个月内持续观察,届时客户不是将排队体验这种尖端制造技术,就是进一步转单到台积电去。

目前,三星的3纳米GAA 技术制程除了之前有报道,表示三星将向加密货币设备商供应首芯片之外,至今还未能向智能手机芯片设计商提供服务。除此之外,三星还有可能重新恢复与高通的合作伙伴关系,因为高通预计在未来的芯片生产当中,同时使用三星与台积电的多方供应模式。然而,如果三星继续让其3纳米GAA 技术制程的低良率情况发生,则许多客户可能会不愿向该公司下订单。

Silicon Frontline Technology官网公司介绍摘录如下:

Silicon Frontline Technology 为布局后验证提供有保证的准确和有保证的快速电阻、电容、ESD 和热分析。
Silicon Frontline Technology的产品已被 70 多家客户使用,其中包括前 25 家半导体供应商中的 12 家,得到领先代工厂的认可和使用,并已用于 500 多种设计中。
客户已经使用我们的技术解决了 10nm、14nm、28nm、40nm、ADC、Serdes、敏感模拟电路、图像传感器、存储器、定制数字设计和电源设备的问题。
Silicon Frontline 由 Epic Design、Nassda 和 Quad Design 的前成员于 2007 年创立,拥有复杂数值方法和半导体材料方面的专业知识,主要资金来自天使投资人和 iD Ventures。该公司位于加利福尼亚州圣何塞,自 2012 年以来一直盈利。

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