有关三星 1.4 纳米工艺,首批细节浮出水面

2023-10-31 11:11:50 来源:EETOP
据DigiTimes报道, 三星代工厂副总裁 Jeong Gi-Tae表示,其即将推出的 SF1.4(1.4 纳米级)工艺技术将把纳米片的数量从 3 个增加到 4 。此举有望为性能和功耗带来显著的好处。

三星是第一家在 2022 年中期推出依赖于环栅 (GAA) 纳米片晶体管的工艺技术的公司,其 SF3E(也称为 3 纳米级环栅耳,3GAE)。该公司使用该技术制造各种芯片,但据信该节点的使用仅限于微型芯片,例如用于加密货币挖掘的芯片。明年,三星 计划 推出 SF3 技术,该技术有望被更广泛的应用领域所采用。三星计划在 2025 年推出其性能增强型 SF3P 技术,该技术专为数据中心 CPUGPU 设计。 

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同样在 2025 年,三星预计将推出 SF22nm 级)制造工艺,该工艺不仅依赖 GAA 晶体管,还将采用背面功率传输,这在晶体管密度和功率传输方面带来了巨大的好处, 也许在推出基于 GAA  SF3E 后三星生产节点的最大改革将发生在 2027 年,届时三星的 SF1.4 技术将通过将纳米片数量从 3 个增加到 4 个来获得额外的纳米片。

增加每个晶体管的纳米片数量可以增强驱动电流,从而提高性能。更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管,从而增强其开关能力和运行速度。此外,更多的纳米片可以更好地控制电流,这有助于减少漏电流,从而降低功耗。此外,改进的电流控制还意味着晶体管产生的热量更少,从而提高了功率效率。 

英特尔台积电都打算分别于 2024 年和 2025 年开始使用 GAA 晶体管及其 20A 和 N2(2 纳米级)工艺技术。当这些公司推出基于纳米片的节点时,三星将在环栅晶体管方面拥有丰富的经验,这可能对代工厂有利。

本文由EETOP综合编译


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