传SK海力士HBM4 采全新设计!与辉达讨论整合,有意委托台积代工

2023-11-23 08:22:12 来源:technews

有媒体指出,韩国记忆体大厂SK 海力士尝试开发全新方式GPU,将逻辑晶片、高频宽记忆体(HBM)堆叠在一起,这也将是业界首创。SK 海力士已与辉达等半导体公司针对该专案进行合作,据报导当中的先进封装技术有望委托台积电,作为首选代工厂。

韩媒中央日报(The Joonang)报导,HBM4 目标是直接放置在辉达、AMD等公司GPU 晶片上。目前HBM 是堆叠放置在GPU 旁边,透过两个晶片下面的中介层( interposer)连接,不过SK 海力士新目标是完全消除中介层,将HBM4 透过3D 堆叠直接整合在晶片上。

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图源:pixabay

外媒Tom's Hardware 指出,这种设计与AMD V-Cache 类似,后者将一小块L3 快取(cache)直接放在CPU 顶部,新技术则是则将GPU 所有记忆体放在GPU 顶部或几个晶片的顶部。

中央日报认为,这项技术有望彻底改变半导体和代工产业,但还需要一段时日。一位韩国产业官员表示,「这种技术可能10 年内实现,最终区分记忆体晶片和逻辑晶片可能变得毫无意义」。

这种技术优点是缩小封装尺寸、提高性能,但散热将是最大问题。采用V-Cache 的AMD CPU,公司必须降低TDP 和时脉频率,以补偿3D cache 产生的额外热量,像辉达H100 这种资料中心GPU,需要80-96GB 的HBM,在容量和热量与V- cache 完全难比拟。

SK 海力士的HBM4 预计2026 年问世,三星也在开发类似专案,可能与SK 海力士竞争,从辉达、AMD、苹果公司那获得这些设计的订单。


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