有媒体指出，韩国记忆体大厂SK 海力士尝试开发全新方式GPU，将逻辑晶片、高频宽记忆体（HBM）堆叠在一起，这也将是业界首创。SK 海力士已与辉达等半导体公司针对该专案进行合作，据报导当中的先进封装技术有望委托台积电，作为首选代工厂。
韩媒中央日报（The Joonang）报导，HBM4 目标是直接放置在辉达、AMD等公司GPU 晶片上。目前HBM 是堆叠放置在GPU 旁边，透过两个晶片下面的中介层（ interposer）连接，不过SK 海力士新目标是完全消除中介层，将HBM4 透过3D 堆叠直接整合在晶片上。
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外媒Tom's Hardware 指出，这种设计与AMD V-Cache 类似，后者将一小块L3 快取（cache）直接放在CPU 顶部，新技术则是则将GPU 所有记忆体放在GPU 顶部或几个晶片的顶部。
中央日报认为，这项技术有望彻底改变半导体和代工产业，但还需要一段时日。一位韩国产业官员表示，「这种技术可能10 年内实现，最终区分记忆体晶片和逻辑晶片可能变得毫无意义」。
这种技术优点是缩小封装尺寸、提高性能，但散热将是最大问题。采用V-Cache 的AMD CPU，公司必须降低TDP 和时脉频率，以补偿3D cache 产生的额外热量，像辉达H100 这种资料中心GPU，需要80-96GB 的HBM，在容量和热量与V- cache 完全难比拟。
SK 海力士的HBM4 预计2026 年问世，三星也在开发类似专案，可能与SK 海力士竞争，从辉达、AMD、苹果公司那获得这些设计的订单。
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