近日，荷兰半导体设备制造商阿斯麦（ASML） CEO Peter Wennink 表示，尽管有些供应商阻碍，但年底将照计划，推出下一世代产品线首款产品-High NA EUV。
高数值孔径（High NA） EUV光刻机只有卡车大小，但每台成本超过3亿欧元。与相机一样，高数值孔径 （High NA） EUV 微影曝光设备将从更宽角度收集光线，分辨率提高 70%。对领先半导体制造商生产先进半导体芯片是不可或缺的设备，十年内生产面积更小、性能更好的芯片。
目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。
相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通过多重曝光可支持2nm及以下制程工艺芯片的制造）。
市场只有台积电、英特尔、三星、SK 海力士和美光使用ASML 产品。目前EUV光刻机设备每套价格超过2亿美元。英特尔此前曾对外表示，其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。根据英特尔的规划，其将在2024年率先量产Intel 20A和Intel 18A工艺，届时或将有部分利用High-NA EUV光刻机。
