据外媒援引美国商务部官员的报道称，美国政府将允许顶级芯片制造商三星、SK海力士和台积电保留和扩建其在中国现有的内存和逻辑晶圆厂。 如果信息属实，那么这三家公司将能够从美国制造商那里为他们在中国的晶圆厂购买新的晶圆厂设备工具。
美国商务部负责工业和安全事务的副部长艾伦·埃斯特维兹(Alan Estevez)透露，美国政府计划继续对韩国和台湾地区的芯片制造商给予豁免，这些豁免与旨在限制中国半导体行业能力的最新美国出口管制规则有关。这些最初于去年 10 月授予的豁免将于今年 10 月到期。
出席讨论的人士表示，Estevez 在与半导体行业协会的讨论中做出了确认，称豁免预计将在“可预见的未来”持续存在。然而，美国商务部选择拒绝就此事发表任何额外评论。EETOP综合整理
美国的晶圆厂设备 (WFE) 制造商必须先获得美商务部的出口许可证，才能出口能够生产在10nm/14nm/16nm 或更小节点上使用非平面晶体管的逻辑芯片、具有 128层或更多层的 3D NAND 芯片，以及半间距为 18nm 或更小的 DRAM IC，供中国客户使用。
三星、SK 海力士和台积电等芯片制造商必须经常升级他们的晶圆厂，以保持其产品的竞争力。这三家公司都获得了美国政府的豁免，允许在 2022 年 10 月至 2023 年 10 月期间向他们在中国工厂出口必要的生产设备，并有可能将豁免再延长一年。显然，美国政府现在愿意允许三星、SK 海力士和台积电在 2024 年 10 月之后为其在中国的半导体生产设施获得美国半导体制作工具。
但是根据美国 CHIPS 和科学法案获得国家资助的条件将 禁止 受益公司投资其位于中国的晶圆厂。这项政策可能会对三星、SK海力士和台积电等国际公司产生深远影响，这些公司在中国经营着重要的设施，并且是美国资助的潜在申请者。根据目前的条款，如果这些公司中的任何一家获得 CHIPS 资金，他们将无法在 10 年内投资扩建或升级其在中国的晶圆厂。
目前，SK海力士是中国唯一的DRAM生产商。目前还不清楚它在那里使用了哪些生产技术。据 TrendForce称，三星和 SK 海力士都在中国使用其 128 层工艺制造 3D NAND。与此同时，台积电位于中国江苏省南京市的 Fab 16 在该公司的 16 纳米 FinFET 节点上生产芯片。
目前，16nm FinFET和 128 层 3D NAND 制造工艺具有竞争力。但在某个时候，它们将变得过时，如果美国芯片法补贴条款符合筹码法案没有改变的话，
他们将不能根据与美国政府的协议投资升级他们的中国晶圆厂，将不得不被迫做出决策。
不过，对于韩国的半导体制造商由于中国是他们最大的出口市场，韩国政府和制造商要求美国重新考虑出口限制，产业高层透露，一些韩国制造商感到不安，他们正在考虑放弃美国政府的补贴，此举将打击拜登政府颁布的芯片法案。
事实上，美国并不寻求与中国脱钩，如美国财政部长叶伦（Janet Yellen）在多次谈话表示，与中国经济完全分离将对美中两国带来灾难等级的影响。
