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Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度
2020-08-17 15:29:20
来源:
Vishay
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---
SiRA99DP
,10 V条件下导通电阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代
SiRA99DP
导通电阻达到业内最低水平,采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装,专门用来提高功率密度。
日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%,降低压降并减小传导损耗,从而实现更高功率密度。SiRA99DP超低栅极电荷仅为84 nC,栅极电荷与导通电阻乘积,即开关应用中MOSFET的重要优值系数 (FOM) 为185 mW*nC,达到同类产品最佳水平。
器件是输入电压12 V电路的理想选择,适用于适配器、电池和通用
电源
开关、反向极性电池保护、 OR-ing功能,以及电信设备、服务器、工业PC和机器人的电机驱动控制。SiRA99DP减少并联器件数量,换句话说,加大单个器件电流,从而提高功率密度,节省这些应用的主板空间。此外,作为p沟道MOSFET,器件不需要电荷泵提供n沟道器件所需的正向栅压。
这款MOSFET经过RG和UIS
测试
,符合RoHS标准,无卤素。
SiRA99DP现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周,视市场情况而定。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立
半导体
(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、
汽车
、消费、通信、国防、航空航天、
电源
及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站
www.vishay.com
。
关键词:
Vishay
工业电子
MOSFET
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