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安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品,籍此扩展市场领先的低RDS(on) MOSFET性能
2020-02-20 08:55:46
来源:
安世半导体
安世
半导体
,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世
半导体
独特的NextPowerS3技术实现,并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。
很多应用均需要超低RDS(on)器件,例如ORing、热插拔、同步整流、电机控制与电池保护等,以便降低I²R损耗并提高效率。然而,某些具有类似Rdson值的同类器件,由于单元间距缩小,其SOA能力(衡量MOSFET安全工作区指标)及Idmax额定电流需要降额。安世
半导体
的PSMNR51-25YLH MOSFET提供高达380A的最大额定电流。该参数对电机控制应用尤为重要,因为电机堵转或失速的瞬间可能在短时间内会导致很大的浪涌电流,而MOSFET必须承受此浪涌才能确保安全可靠的运行。一些竞争对手仅提供计算出的ID(max),但安世
半导体
产品实测持续电流能力高达380A。
该器件采用安世
半导体
LFPAK56封装兼容5×6mm Power-SO8封装,提供高性能铜夹结构,可吸收热应力,从而提高质量和寿命可靠性。
安世
半导体
的功率MOSFET产品经理Steven Waterhouse表示:“借助我们最新的NextPowerS3 MOSFET,意味着
电源
工程师现在比以前拥有更多的选择来打造市场领先的产品——电池可以持续更长时间,电机可以提供更大扭矩,服务器可以更加可靠。”
典型应用包括:电池保护;直流无刷(BLDC)电机(全桥,三相拓扑);ORing服务器
电源
、热插拔和同步整流。
关键词:
安世半导体
MOSFET
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