在136层之后,三星目前正在研发160层及以上的3D闪存,将成为第七代V-NAND闪存的基础。
目前160层+的3D闪存还没有详细的技术信息,韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺,从现在的单堆栈(single-stack)升级到双堆栈(double-stack),以便制造更高层数的3D闪存。
考虑到三星在NAND闪存行业占据了超过1/3的份额,实力是最强的,不出意外160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发,继续保持闪存技术上的优势,拉开与对手的差距。
对了,单从层数上来说,三星的160层+还不是最高的,SK Hynix去年宣布正在研发176层堆栈的4D闪存,不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同,不能单看层数高低。
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