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安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
2021-02-18 12:51:26
来源:
安森美半导体
2021年2月18日 —推动高能效创新的安森美
半导体
(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:
ON),发布一系列新的
碳化硅
(SiC) MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动
汽车
(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器
电源
(PSU)、电信和不间断
电源
(UPS)等应用中实现显著更好的性能。
安森美
半导体
新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一种新的宽禁带材料,提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能,因而提高系统级能效、功率密度,及减小电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。
新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装,具有市场最低的Rdson (12 mOhm)。 这技术还优化能量损失品质因数,从而优化了
汽车
和工业应用中的性能。 内置门极电阻 (Rg)为设计人员提供更大的灵活性,而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。 更高的浪涌、雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性,从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。
安森美
半导体
先进
电源
分部高级副总裁Asif Jakwani在发布新品时说:“在现代
电源
应用中,如电动
汽车
(EV)车载充电器(OBC)和可再生能源、企业计算及电信等其他应用, 高能效、可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。这些新的SiC MOSFET比同等的硅开关技术显著提高性能,使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。 增强的性能降低损耗,从而提高能效,减少热管理需求,并降低电磁干扰(EMI)。使用这些新的SiC MOSFET的最终结果是更小、更轻、更高效和更可靠的
电源
方案。”
新器件均为表面贴装,并提供行业标准封装类型,包括TO247和D2PAK。
更多资源及文档:
登陆页:宽禁带方案
产品页:650 V SiC MOSFET
关于安森美
半导体
安森美
半导体
(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美
半导体
领先于供应基于
半导体
的方案,提供全面的高能效
电源
管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单
芯片
(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在
汽车
、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn
。
关键词:
安森美半导体
碳化硅
MOSFET
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