| 器件型号 | XPH4R10ANB | XPH6R30ANB | |
| 极性 | N沟道 | ||
| 绝对最大额定值 | 漏源极电压 VDSS （V） |
100 | |
| 漏极电流 （DC） ID （A） |
70 | 45 | |
| 漏极电流 （脉冲） IDP （A） |
210 | 135 | |
| 沟道温度 Tch （℃） |
175 | ||
| 漏源极导通电阻 RDS(ON)最大值 （mΩ） |
@VGS=6V | 6.2 | 9.5 |
| @VGS=10V | 4.1 | 6.3 | |
| 沟道至外壳热阻 Zth(ch-c) 最大值 @Tc=25℃ （℃/W） |
0.88 | 1.13 | |
| 封装 | SOP Advance（WF） | ||
| 产品系列 | U-MOSVIII-H | U-MOSVIII-H | |
