228层!三星电子加快第八代V-NAND闪存开发进度

2021-06-09 13:21:52 来源:EETOP
EETOP消息,据韩国媒体businesskorea报道,三星电子公司的一位高级官员6月8日表示,该公司正在加速开发具有200层以上的V-NAND闪存。 
 
"公司已经获得了具有200层以上的第八代V-NAND解决方案的工作芯片,并计划根据消费者的需求将其推向市场。"执行副总裁兼闪存产品与技术负责人Song Jai-hyuk在该公司新闻室发表的一篇文章中说。 
 
 

三星电子目前正在进行研究,目标是开发第八代228层的V-NAND闪存。
 
该公司目前正在平泽的新工厂(2号厂)测试第七代176层V-NAND闪存的生产线。生产量为每月10,000张12英寸晶圆。预计在2021年下半年这条生产线投产后,将立即开始为第八代V-NAND闪存的大规模生产做准备。 
 
三星电子在推出新产品之前披露下一代NAND闪存的层数,这是很不寻常的。不正式宣布层数是很常见的,因为在开发过程中,层数可能会改变,或者产品路线图可能会改变。Song的文章似乎旨在强调,在NAND闪存技术方面,没有公司能与三星电子相匹敌。 
 
到目前为止,三星电子在NAND市场表现出无可匹敌的影响力,但最近随着美光科技在2020年11月宣布,它在全球首次开始大规模生产176层的NAND闪存。以及SK海力士正式宣布,它已获得176层NAND闪存技术。使得三星电子的技术优势正面临挑战。有分析称,三星电子将在第七代产品开始量产后立即加快第八代V-NAND闪存的量产,以保持与对手的技术差距。 
 
Song介绍了该公司即将量产的第七代V-NAND产品。他说,三星176层的第七代V-NAND在高度上与业界第六代100多层的V-NAND相似。
 
他表示:"三星通过高度创新的3D缩放技术,同时减少其表面积和高度,成功地将单元体积减少到35%。 
 
三星电子计划于2021年下半年向消费者发布业内cell-size大小的固态硬盘(SSD)。
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