此前，三星电子在去年4月向全球客户提供了7纳米产品。仅用了8个月就生产出了6纳米的产品。与7纳米产品相比，6纳米产品提供了更好的半导体逻辑尺寸、功率和性能。
三星电子(Samsung Electronics)开始大规模生产6-nm制程产品，对台积电构成了压力。全球市场研究公司TrendForce表示，去年第四季度，台积电占全球代工市场的52.7%，与三星电子(Samsung Electronics) 17.8%的市场份额差距进一步扩大。
三星未能赶超台积电的主要原因是三星在16纳米和12纳米工艺之后开发7纳米工艺的时间较晚。台积电通过其7纳米技术，垄断了苹果（最大的无晶圆厂客户）的AP供应。
相比之下，三星电子(Samsung Electronics)在2014年首次商业化了14纳米鳍场效应晶体管(FinFET)工艺，但在7纳米工艺开发方面输给了台积电(TSMC)。目前，7纳米产品只占三星销售额的一小部分。为了解决这个问题，星正在加紧努力以缩短 7nm以下微加工工艺的开发周期。
继大量生产6纳米产品之后，三星电子计划在今年上半年推出5纳米产品。此外，三星电子有在今年上半年采用正在研发中的最新3纳米全栅极（GAA）工艺技术来制造尖端芯片的计划。GAA被认为是当前FinFET技术的升级版，能确保芯片制造商进一步缩小芯片体积。（参见：三星已攻克3nm关键GAA全能门技术！或将超越台积电实现翻盘）
免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，转载目的在于传递更多信息，并不代表EETOP赞同其观点和对其真实性负责。如涉及作品内容、版权和其它问题，请及时联系我们，我们将在第一时间删除！
