氮化镓又被称作第三代半导体，是当今世界上最具潜力的半导体材料之一，并被预言将会在不久的未来改变世界。硅基氮化镓产业早在20年前就开始在欧洲和美国等地发展。中国在这一产品领域尚属空白，该产业在中国才刚起步。
英诺赛科（珠海）科技有限公司拥有世界领先的8英寸硅基氮化镓外延技术，突破了低翘曲度、低缺陷及位错密度、低漏电晶圆制造的全球性挑战，将碎片率大幅降至1%以下领先水平。经过两年的努力，该公司已建成中国首条完整8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线，主要产品包括100V-650V氮化镓功率器件，设计及性能均达到国际最先进水平，将广泛应用于电力电子、新能源、电动汽车、信息与通信和智能工业等领域。
“建设一个自主可控、安全的生产体系，这是半导体行业、信息产业的责任。企业只有建立起自己的研发体系、人才体系，这样才能不断进步，不断领先。”中国半导体行业协会执行副理事长兼秘书长徐小田在表示。多名业内专家在随后举行的研讨会上谈到，氮化镓产业已经到了爆发前夜，在8英寸硅基氮化镓晶圆产业化上取得重大突破，为今后该领域的发展奠定了良好基础，必将为中国在半导体领域实现“换道超车”作出重要贡献。珠海高新区相关负责人高度赞扬了英诺赛科公司一年来的高速成长及取得的卓越成绩，并勉励公司利用国际领先的核心技术、抓住机遇、抢占先机，解决我国半导体产业的技术瓶颈，带动上下游产业发展，助力我国半导体产业和先进制造业的崛起。
