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半桥评估板简化了GaN晶体管测试
2016-01-05 17:54:19
来源:
未知
氮化镓系统宣布其新的
半桥评估板
这表明其氮化镓增强型功率
半导体
器件的实际功率电路的性能。
全功能的GS66508T-EVBHB评估板是很容易配置到任何半桥拓扑结构为主,包括同步升压和降压转换模式,以及脉冲开关评估晶体管波形。
一个快速启动说明指南和YouTube视频链接的陪同下,评估板可以安装在几分钟内使用。
每个开发套件配有完整的文档,包括比尔-的材料组成部分的数字,PCB布局和散热管理,以及栅极驱动电路参考设计,帮助系统工程师开发自己的产品。
旨在提供电气工程师提供一个完整的工作功率级,评估板包含两个650 V,30 A GS66508T氮化镓场效应晶体管,半桥栅极驱动器,栅极驱动
电源
和散热器。
100 V/nS and ultra-low thermal losses." style="padding: 0px; margin: 0px auto; font-family: Arial, 微软雅黑; font-size: 14px; line-height: 26px;">该GS66508T高功率晶体管是基于氮化镓的系统专有岛技术®和属于它的650 V系列的其中实现与> 100 V / NS和超低热损耗快速开关速度极其高效的
电源
转换高密度的设备。
使用氮化镓系统“岛科技模具设计结合GaNPX™封装极低的电感和热效率,氮化镓场效应晶体管表现出的交换和比传统的硅MOSFET和IGBT导通性能有45倍的改善。
30 A / 50毫欧GS66508T GaN功率晶体管是顶侧冷却,并设有近
芯片
级,热效率GaNPX包装。
在1.5千瓦,该器件的功率转换效率的额定功率为98.7%,可以在所有者的实验室中再现的值。
该评估板提供脚印为输出功率电感器和电容器,因此用户可以配置董事会成所需的升压或降压操作模式。
访问晶体管的结温是由两个热电偶垫和热成像相机端口提供。
输入功率应为9 VDC至12 VDC,具有绝对的最多15个五,板载电压调节器创建+5 V的逻辑电路和+6.5 V,用于栅极驱动器。
该评估板工作在三种模式:脉冲
测试
模式,降压/标准半桥模式和升压模式。
新GS66508T高电流
半桥评估板
现已通过氮化镓Systems的全球分销网络。
定价以当地货币计算,该开发工具包零售价为$ 299 USD。
关键词:
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