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内容
Rfaxis公布面向WiFi移动手持设备的CMOS射频前端技术突破
2015-01-29 19:54:58
来源:
本站原创
专注于为无线连接和蜂窝移动市场提供创新型新一代
射频
解决方案的无晶圆
半导体
公司
Rfaxis
宣布发布
射频
前端技术
白皮书《面向移动
手持设备
应用的
CMOS
Wi-Fi
射频
前端 - 第一部》(
CMOS
Wi-Fi
RF
Front-Ends for Mobile Handset Applications – Part-I)。该系列白皮书共三部,本次发布的第一部讨论了Wi-Fi/蜂窝
手持设备
双模设计所面临的
射频
相关技术挑战。该白皮书还讨论了
Rfaxis
为应对当今
射频
/无线行业面临的这些关键问题所开发的部分技术解决方案。
据Linley Group统计,智能手机是无线行业增长最快的细分市场之一,预计2014年智能手机的出货量将达到6亿部。这些先进的移动设备可同时支持3G/LTE网络和Wi-Fi无线连接,因此用户可以一边连接蜂窝网络进行语音通话,一边通过
Wi-Fi无线网络
上网搜索或下载数据文件。在内部空间有限的
手持设备
中同时运行不同的无线电会给
射频
设计带来前所未有的挑战,需要在保证性能水平的同时最大程度地降低物料清单(BOM)成本。
新出炉的
Rfaxis
白皮书提供了多家一级供应商UMTS/WCDMA接收频段(Band-1, 2.11-2.17GHz)不同Wi-Fi功率放大器和前端模块的综合
测试
数据和噪声贡献值的对比情况。多年来,
射频
/无线行业一直在采用不同的材料/工艺技术开发PA/FEM,包括GaAs HBT、GaAs pHEMT、Bi
CMOS
SiGe HBT和最近的块状
射频
CMOS
。该公司此项研究的部分关键成果包括:
除块状
CMOS
之外的所有技术,WCDMA接收频段总噪声功率都会随着WLAN传输功率级别的增加而增加,而块状
CMOS
在高WLAN输出信号水平的情况下,噪声功率的变化微乎其微,甚至略有减少。
基于GaAs或SiGe HBT的解决方案需要高水平抑噪(30-35dB),这需要采用成本更高的共存滤波器,还需要额外降低Wi-Fi接收器的灵敏度,并增加发射链路的电流消耗。
Rfaxis
基于
CMOS
的Wi-Fi
射频
前端集成电路(
RF
eIC)所需的PA输出线性功率可减少1.0-1.5dB,从而大幅降低电流消耗。该电路还能帮助等量提升Wi-Fi系统接收器的灵敏度。
Rfaxis
首席技术官Oleksandr Gorbachov博士评论说:“随着越来越多的移动设备需要同时运行3G/4G蜂窝和Wi-Fi网络,对提升共存滤波器性能并改善其成本结构的需求正在不断增加,客户要求满足看似相互矛盾的标准,例如:带内插入损耗要低,带外抑制要高,元件尺寸要最小,但是价格要最低。我们已通过利用
射频
CMOS
特有的设备/工艺特点及专有的设计方法,找到了该问题的替代解决方案,我们可大幅降低Wi-Fi PA对WCDMA接收频段的噪声泄漏,从而让
射频
系统设计师可以以很宽松的规格使用共存滤波器。这不仅可帮助降低BOM成本,还能提升Wi-Fi性能。”
Rfaxis
董事长兼首席执行官Mike Neshat补充说:“我们很高兴能与无线行业分享我们的成果,并向OEM/ODM客户提供一切就绪的解决方案。这是
Rfaxis
团队的又一关键突破,可推动
射频
CMOS
成为下一主流解决方案,满足智能手机、平板电脑和超极本等当今高度复杂的无线产品的最苛刻
射频
前端要求。”
关键词:
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