去年年底，ASML开始向英特尔交付其下一代EUV光刻机——首款高数值孔径极紫外（EUV）光刻系统。上周末，这家处理器巨头发布了一段视频，介绍了该工具在俄勒冈州希尔斯伯勒附近的晶圆厂中的安装过程。目前该机器将主要用于研究和开发目的。
ASML的Twinscan EXE：5000 High-NA EUV机器确实非常庞大。总共需要 250 个板条箱来运输这台重达 330,000 磅左右的机器。
一架货机将视频中的集装箱从荷兰运送到俄勒冈州波特兰，然后一辆卡车运送了该工具的关键部件之一。正如您在下面的视频中看到的，该装置已经安装在晶圆厂，但 250 名 ASML 和英特尔工程师需要大约六个月的时间才能完全安装该机器。
但是，即使 Twinscan EXE：5000 High-NA EUV 机器完全组装完毕，ASML 和 Intel 工程师仍然需要对其进行校准。这将需要数周甚至数月的时间。首先，两家公司将不得不“点亮”设备，即光子撞击晶圆上的光刻胶，ASML工程师最近在荷兰Veldhofen使用他们的High-NA EUV工具实现了这一点。
ASML的高数值孔径EUV Twinscan EXE工具可以以8nm分辨率进行刻录，显著增强了目前使用的低数值孔径EUV扫描仪的性能，这些扫描仪的单次曝光限制为13nm分辨率。这一进步使得制造的晶体管比现在小约 1.7 倍，晶体管密度几乎增加了三倍。实现 8nm 关键尺寸对于使用亚 3nm 工艺技术生产芯片至关重要，该行业希望在 2025 年至 2026 年间实现这一目标。
英特尔将主要使用其 Twinscan EXE：5000 光刻工具来学习如何使用 High-NA EUV 技术。该公司计划通过其英特尔 18A 工艺技术（尽管不用于大批量生产）测试高数值孔径光刻技术的使用，并最终通过其英特尔 14A 制造工艺将其用于大批量制造。
