SK 海力士计划明年第二季量产 10 纳米 DRAM

2016-12-16 22:31:56 未知

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继三星之后，SK 海力士计划明年开始量产10 纳米DRAM，在1x DRAM 开发完成后，SK 海力士将继续研发1y DRAM，并为发展 1z DRAM 铺路。

来自产业界的消息指出，SK 海力士1x DRAM 开发代号设为Alius，已准备进入量产前置作业。SK 海力士目前已经完成晶圆制样，正要在进行可靠度认证。

半导体认证通常需将过工程试样（Engineering sample）与客户端式样（Customer sample）两道程序，在通过客户测试后，产品开发才算完成。据报导，SK 海力士为将量产时程往前推，打算直接做客户测试，暗示 1x DRAM 已经开发成功。

一般认为，SK 海力士技术落后三星约 1 年半时间，但从SK 海力士计划在明年第二季量产10 纳米DRAM 推算，两者差距已经拉近至1 年3 个月左右。