12 月 15 日消息，据韩国 Chosunbiz 报道，三星电子在高带宽存储器（HBM）领域取得关键进展 —— 此前近 2 年在性能和良率上始终难以稳定的 HBM3E 12 层堆叠产品，目前已实现量产级别的稳定表现，这一突破将助力三星显著扩大 HBM3E 产品的供货规模，更有望使其成为博通的首选供应商。

这一进展背后，是三星电子为扭转 HBM 市场劣势所做的持续努力。过去一年，三星的 HBM3E 12 层产品因未能通过 “最大买家” 英伟达的严格质量测试，导致其在全球 HBM 市场长期落后于 SK 海力士。为改变这一局面，在负责 DRAM 开发的黄尚俊（音译）主导下，三星对 HBM 所使用的 DRAM（D1a）进行了重新设计，并在今年通过与博通的深度合作，逐步实现了产品性能与良率的双重稳定。

值得注意的是，HBM3E 12 层与 8 层产品在盈利能力和应用价值上存在明显差距。三星电子一位高层人士透露，此前三星管理层曾亲自拜访英伟达 CEO 黄仁勋，争取成为其 HBM 主力供应商，而黄仁勋明确提出，若想成为优先供应商，最新 HBM 产品必须采用 12 层堆叠结构。该人士强调，HBM3E 12 层产品对于提升 GPU 性能、支撑大语言模型运行具有决定性意义，这也成为三星攻坚该产品的核心动力。

此次三星的技术突破，与博通的合作模式密不可分。产业消息显示，负责谷歌 TPU 芯片设计的博通，正在讨论提高三星电子 HBM3E 12 层产品的供应比重。目前谷歌已在第 7 代 TPU 中同时采用三星与 SK 海力士的 HBM3E 8 层产品，而在性能进一步强化的改良版 TPU 7E 中，计划直接搭载 HBM3E 12 层产品，相关产品正处于量产测试阶段，业内普遍认为两家厂商的性能指标已接近同一水平。

与英伟达持续要求存储厂商反复重构设计、将性能推向极限的合作模式不同，博通更强调满足客户规格需求，自行完成 SoC 设计，因此对 HBM 供应商的测试压力相对较小。一位博通工程师表示，业界将博通视为英伟达对手的看法 “对了一半”，实际上博通更接近一家以设计效率和成本控制为核心的设计公司，通过为谷歌等客户以合理成本定制芯片实现稳定利润。这种模式使得博通更青睐报价具弹性、供货规模灵活的三星电子，同时也能借此增强对 SK 海力士的价格谈判能力。

为进一步缩小在 HBM3E 市场与 SK 海力士的差距，三星电子在策略上展现出明显灵活性。业内消息称，三星 HBM3E 的供货单价较 SK 海力士同类产品低约 20%，结合此次 HBM3E 12 层产品的量产突破，这一价格优势正持续重塑全球 HBM 供应格局，而三星与博通的深度绑定，更让其在市场竞争中占据了关键先机。