该项专利提供一种提高跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法,采用圆环形结构在N型漂移区形成P型同心环,通过调整P型同心环的半径控制P型杂质总量,从而与N型杂质达到电荷平衡,提高跑道形器件结构弯道部分耐压的方式。传统方式是在弯道部分形成简单的PN结,PN结的反向耐压即为器件弯道部分的耐压,这种方式虽然简单,但却使弯道部分不存在沟道,从而浪费了芯片面积。采用该技术不仅可在跑道形器件结构的弯道部分提高耐压,而且可以在弯道部分保留沟道,使器件电流变大,达到有效利用芯片面积,增大电流,降低导通电阻的目的。
围绕上述主专利,华润上华还分别在国内外申请了41项周边专利,构成专利组合,对华润上华所经营的特定领域进行系统控制和保护,使华润上华获得持续的竞争优势。目前,华润上华在国内单芯片LED照明驱动电源市场中的市场占有率达到100%,有国内外知名客户21家,部分产品已成功被大众、奥迪等汽车厂商使用。