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ST与Soitec携手通过CMP提供28纳米FD-SOI CMOS制程

2012-10-22 22:01:29 本站原创
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意法半导体、Soitec与CMP (Circuits Multi Projets®) 共同宣布,现在大学院校、研究实验室和设计企业可通过CMP的硅中介服务使用意法半导体的CMOS 28纳米全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)制程进行工程流片,意法半导体的新制程采用Soitec公司开发的创新型硅衬底。随着首批商用晶圆即将下线,意法半导体正在将这项制程下放给第三方芯片制造商。

CMP的产品目录中列有意法半导体28纳米FD-SOI CMOS制程代表着双方在此前的合作上取得了显著成功,意法半导体与CMP合作为大学和设计企业提供流片服务,让他们能够使用意法半导体的上一代CMOS工艺设计芯片,包括45纳米(2008年发布)、65纳米(2006年发布)、90纳米(2004年发布)和130纳米(2003年发布)。CMP的客户还可选用意法半导体的65纳米和130纳米SOI(绝缘层上硅)以及130纳米SiGe制程。例如,170家大学和企业已获得意法半导体90纳米CMOS制程设计规则和工具,200余家大学和企业已获得意法半导体65纳米体效应和SOI CMOS制程设计规则和工具。

CMP自2011年起开始提供意法半导体28纳米CMOS体效应技术,约60所大学和微电子企业已获得设计规则和工具,16款集成电路(IC)现已制造。

CMP总监Bernard Courtois表示:“人们对使用这些制程设计IC的具有浓厚兴趣,约300个项目设计已采用90纳米制程(2009年退市),300余个项目设计已采用65纳米体效应制程。此外,采用65纳米SOI的设计项目已超过60个,值得一提地是,在欧洲、美国、加拿大和亚洲,很多知名大学已从意法半导体与CMP的合作中受益。”

通过使用CMP多项目晶圆服务,学术组织和设计企业可获得少量的从数十片到数千片的先进IC。28纳米FD-SOI CMOS制程成本固定在18,000

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