Ramtron推出新型低功率F-RAM存储器

2012-10-08 20:39:23 来源:本站原创

        作为非挥发性记忆体元件(F-RAM)和集成半导体产品方面的领先研发商和供应商,Ramtron国际公司宣布,该公司将推出256 Kb、2.7至3.6V工作电压且具高速串口I2C内存接口的非易失性F-RAM器件,新款产品型号为FM24L256。它采用小型8脚封装,不但提供高性能数据采集功能,而且还能减低成本和缩小板空间,适用于从多功能打印机到工业电机控制器等各种设备应用。


  新款F-RAM存储器具有显著的优势,该FM24L256存储器是容量为256千位的非易失性存储器,它采用Ramtron先进的铁电存储工艺。F-RAM存储器的读写操作与RAM相似,并提供长达10年的可靠数据保存,而同时免除了源自EEPROM和其它非易失性存储器的复杂性、系统开销和系统可靠性的问题。

  该款F-RAM存储器主要功能和特点包括:(1) FM24L256以总线速度执行写操作,无写入延迟,无需进行数据轮询即可开始下一个总线周期;(2) 新产品与同类EEPROM产品相比,FM24L256的写入耐用性高出几个数量级,而且由于执行写操作时不需要为写入电路提供内部升高的电源电压,因此功耗也较EEPROM低得多;(3) 新产品采用工业标准的8脚SOIC封装,工作电压为2.7至3.6V,并可在-40℃至+85℃的整个工业温度范围内工作。
  1. EETOP 官方微信

  2. 创芯大讲堂 在线教育

  3. 创芯老字号 半导体快讯

相关文章

全部评论

@2003-2024 EETOP