Ramtron市场推广副总裁Scott Emley表示：“非易失性F-RAM存储器的快速写入能力与创新性IC设计相结合，让我们可以实现迄今为止最低功耗的非易失性存储器，典型主动电流只有约3微安。通过采用Ramtron的低功耗F-RAM存储器，对功耗敏感的应用如无线传感器节点、远程仪表、保健产品以及新兴的能量收集应用等，就能够更频繁地写入数量级的数据，并同时降低系统功耗。”
Ramtron 低功耗存储器的优点随系统写入数据的次数更加频繁而大大增加，与串口EEPROM不同，FM25P16能够以总线速率执行写入操作而无写入延迟。这些能力使得FM25P16适用于同时要求极低功耗与频繁或快速写入特性的非易失性存储器应用。
FM25P16采用先进的铁电工艺，获得达到100万亿 (1e14) 读/写次数的几乎无限的耐用性，且数据能够可靠地保存10年。FM25P16采用快速串行外设接口(SPI)，以1MHz频率的全速总线速率运作。
特性
-16Kb 铁电非易失性RAM，采用2,044 x 8位结构
-无限的读/写次数
-数据保存10年
-无延迟 (NoDelay™) 写入
超低功耗运作
-1.8 至 3.6V 运作电压
-3.2 μA (典型) 有效电流 @ 100 kHz
-1.2 μA (典型) 待机电流
串行外设接口 - SPI
-频率高达1 MHz
-SPI 模式 0 & 3
工业标准配置
-工业温度范围为 -40°C至 +85°C
-“绿色”/RoHS标准8脚 SOIC封装
Ramtron现已提供FM25P16存储器样品，订购10,000个，每个FM25P16起价为0.99美元。
