EPC2012 FET是一款面积为1.6平方毫米的200VDS器件,RDS(ON)最大值是100mΩ,栅极电压为5V。这种eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明显更高的性能优势。EPC2012的脉冲额定电流提高至15A(而EPC1012只有12A),因此在较低栅极电压时,其性能得以全面增强,而且由于提高了QGD/QGS比率,EPC2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。
与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2012体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。