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内容
台积电重返内存市场 瞄准MRAM和RRAM
2017-06-06 18:47:24
来源:
未知
晶圆代工大厂
台积电
和三星的竞争,现由逻辑
芯片
扩及内存市场。
台积电
这次重返内存市场,瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存,因传输速度比一般闪存快上万倍,是否引爆内存产业的新潮流,值得密切关注。
台积电
技术长孙元成日前在
台积电
技术论坛,首次揭露
台积电
研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取内存)和eRRAM(嵌入式电阻式内存)分别订明后年进行风险性试产,主要采用22奈米制程,这将是
台积电
因应
物联网
、行动装置、高速运算计算机和智能
汽车
等四领域所提供效能更快速和耗电更低的新内存。
台积电
次世代内存布局 图/经济日报提供
这也是
台积电
共同执行长魏哲家向法人表达不会跨足标准型内存,不会角逐东芝分割成立
半导体
公司股权后,
台积电
再次说明内存的战策布局,将瞄准效能比一般DRAM和储存型闪存(NAND Flash)的MRAM和RRAM。
稍早三星电子也在一场晶圆厂商论坛中发表该公司所研发的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代内存产品的内存厂,产品技术时程大幅领先
台积电
,三星的MRAM并获恩智浦导入。
据了解,
台积电
早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代内存研发,多年来因难度高,商业化和竞争力远不如DRAM,导致多家厂商都都仅限于研发。
内存业者表示,次世代内存中,投入研发的厂商主要集中MRAM、RRAM及相变化内存(PRAM)等三大次世代内存,其中以MRAM的处理速度最快,但也是最难量产的内存类型。
不过,在DRAM和NAND Flash制程已逼近极限,包括无人车、
AI
人工智能
、高阶智能型手机和
物联网
等要求快速演算等功能,是
台积电
认为商机即将成熟并决定在2018及2019年提供相关嵌入及整合其他异质
芯片
技术,进行商业化量产。
关键词:
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