赛普拉斯的nvSRAM采用其S8™ 0.13-微米 SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存储器技术制造，拥有卓越的可靠性和改善的性能。nvSRAM对于要求数据的绝对非易失性的应用（如智能电表、PLC、马达驱动、汽车电子数据记录仪、RAID系统、医疗和数据通讯系统）而言，是理想的选择。
新的串行nvSRAM系列产品包括具有多种配置的1-Mbit，512-Kbit，256-Kbit和64-Kbit器件。这些器件具有卓越的性能， SPI运行频率可达到业界领先的104MHz，具有SPI模式0和3、无限次读写和取回周期，数据保存时间长达20年。这些器件采用业界标准的8-SOIC 和16-SOIC小尺寸封装方式。
赛普拉斯非易失性产品事业部高级总监Jithender Majjiga说：“由于nvSRAM基于可行的、高产的CMOS技术，我们的客户鼓励我们将这些串行接口产品添加到我们现有的并行nvSRAM产品线中。竞争方案倾向于使用非标准工艺技术，且必须力保供应源的持续性。赛普拉斯的供应链很灵活稳定，拥有高质量的制造工艺，因而能满足需求巨大的串行市场。”
赛普拉斯是SONOS工艺技术的领先厂商，在其下一代PSoC®混合信号阵列、可编程时钟和其他产品中都采用了S8技术。SONOS与标准的CMOS技术兼容，并且具有高耐用性、低功耗和抗辐射的优势。赛普拉斯的S8™ 0.13-微米 SONOS工艺在其自身的芯片厂和多个合作芯片厂中都有使用。与其他基于磁和铁电的非易失性存储技术相比，SONOS技术在规模扩展和可制造性方面具有突出的优势。
赛普拉斯的串行nvSRAM具有I2C (1-Mbit: CY14B101J) 和 SPI (1-Mbit: CY14B101QA)两种接口，封装方式为小尺寸8-SOIC 和 16-SOIC。这些器件还具有512-Kbit, 256-Kbit 和64-Kbit容量规格，以及可选配的实时时钟。目前，这些器件出于样品阶段，预计四月份开始量产。
