新思科技有限公司和全球领先的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司宣布开始提供用于中芯国际65纳米（nanometer）低漏电(Low Leakage)工艺技术的新思科技经硅验证的和获得USB标志认证的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知识产权（IP）。作为一家提供包括控制器、PHY和验证IP等USB2.0接口完整IP解决方案的领先供应商，新思科技继续致力于通过提 供高品质IP助力设计人员降低集成风险，这些IP具备了验证过的互操作性，并与标准规范设计兼容。
DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP专为各种高市场容量移动和消费电子应用而设计的，这些应用的关键要求包括要实现面积最小、低动态和泄漏功耗等特性。此外，DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP内建了调整电路，可支持快速的、芯片加工后的调整，以应对意外的芯片/电路板寄生或工艺变化，而无需用户对现有设计进行修改。这一特性使得设计人员能 够提高良品率，并最大限度地降低昂贵的芯片改版成本。
