飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench^®MOSFET，在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。

该系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P沟道MOSFET。与竞争对手的器件相比，这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数(FOM)，比竞争对手提供的最佳器件还要高出67%。此外，其导通损耗减小了46%，开关损耗减小了38%。因此，设计人员能够缩小尺寸并提高系统整体性能。

相比竞争对手提供的5 mm x 6 mm封装解决方案，该系列器件采用3 mm x 3 mm MLP封装，可节省电路板空间。此外，FDMC86xxxP系列可满足客户对于耗散更少功率实现更高能效的更低  热特性需求。该器件还具有同尺寸器件中最低的导通电阻R_DS(ON)。

飞兆半导体低压产品营销总监Mike Speed表示：“众所周知，传统产品因功耗高而效率低下，不适用于如今的电源和电机控制电路。客户如果转而采用FDMC86xxxP系列器件，那么在其应用中就能使功耗降低多达50%，从而提升系统整体性能，并降低其终端产品中的能耗，有助于节省全球资源。”

主要功能：

·极低R_DS(ON)中压P沟道硅技术，优化得到较低的Qg

·非常适合快速开关应用以及负载开关应用

·100%经过UIL^®测试

·符合 RoHS 标准

空间受限型应用以及我们的客户和其所服务的市场要求DC-DC电源的尺寸更小、电流更高，基于对这一需求的理解，飞兆半导体量身定制结合了功能、工艺和创新封装技术的节能型解决方案，从而能使您的电子设计与众不同。

价格： 1000 件的价格（美元）

FDMC86261P：       0.80美元（提供样品）

FDMC86139P:   0.68美元（提供样品）

可供： 按需提供样品

交货期： 收到订单后的8到10 周内