半桥评估板简化了GaN晶体管测试

2016-01-05 17:54:19 未知

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氮化镓系统宣布其新的半桥评估板这表明其氮化镓增强型功率半导体器件的实际功率电路的性能。全功能的GS66508T-EVBHB评估板是很容易配置到任何半桥拓扑结构为主，包括同步升压和降压转换模式，以及脉冲开关评估晶体管波形。一个快速启动说明指南和YouTube视频链接的陪同下，评估板可以安装在几分钟内使用。每个开发套件配有完整的文档，包括比尔-的材料组成部分的数字，PCB布局和散热管理，以及栅极驱动电路参考设计，帮助系统工程师开发自己的产品。

旨在提供电气工程师提供一个完整的工作功率级，评估板包含两个650 V，30 A GS66508T氮化镓场效应晶体管，半桥栅极驱动器，栅极驱动电源和散热器。100 V/nS and ultra-low thermal losses." style="padding: 0px; margin: 0px auto; font-family: Arial, 微软雅黑; font-size: 14px; line-height: 26px;">该GS66508T高功率晶体管是基于氮化镓的系统专有岛技术®和属于它的650 V系列的其中实现与> 100 V / NS和超低热损耗快速开关速度极其高效的电源转换高密度的设备。

使用氮化镓系统“岛科技模具设计结合GaNPX™封装极低的电感和热效率，氮化镓场效应晶体管表现出的交换和比传统的硅MOSFET和IGBT导通性能有45倍的改善。 30 A / 50毫欧GS66508T GaN功率晶体管是顶侧冷却，并设有近芯片级，热效率GaNPX包装。在1.5千瓦，该器件的功率转换效率的额定功率为98.7％，可以在所有者的实验室中再现的值。

该评估板提供脚印为输出功率电感器和电容器，因此用户可以配置董事会成所需的升压或降压操作模式。访问晶体管的结温是由两个热电偶垫和热成像相机端口提供。输入功率应为9 VDC至12 VDC，具有绝对的最多15个五，板载电压调节器创建+5 V的逻辑电路和+6.5 V，用于栅极驱动器。该评估板工作在三种模式：脉冲测试模式，降压/标准半桥模式和升压模式。

新GS66508T高电流半桥评估板现已通过氮化镓Systems的全球分销网络。定价以当地货币计算，该开发工具包零售价为$ 299 USD。

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