A LFNA内置的测量程序能进行完整的直流和噪声测量。例如，为了测量 N 型 MOSFET 上的噪声，系统会自动选择能最好地呈现固有器件噪声的源和负载阻抗。工程师可以采用这些建议的设置，也可以对其做出更改，然后启动噪声测量。A-LFNA会对噪声功率谱密度（1/f噪声）和时域的RTN噪声进行测量。得出的数据在多图数据显示窗口中绘图显示。各种窗口选项卡有助于执行常见的任务，如评测器件的直流工作点，以及测量功率谱密度曲线的斜率。使用是德科技的Model Builder Program（MBP）和IC-CAP等器件建模工具，也可以通过器件模型对噪声数据进行分析并显示结果。电路设计人员能够使用这些器件模型来确保高精度的射频和模拟低噪声电路设计。
是德科技副总裁兼设计与测试软件事业部总经理Todd Cutler表示：“我们的客户在进行器件表征和建模时，会面临不同的测试需求，包括氮化镓可靠性、CMOS 建模和磁性传感器测试等。通过 A-LFNA 的新软件用户界面，我们为客户提供了独一无二的能力，使其能对晶圆上的器件噪声进行测量和建模，同时还为他们提供了全面、灵活的测量选项，用于测量从直流到电容再到微波频率 S 参数的各方面特性”。
是德科技的 A-LFNA 具有业界领先的噪声灵敏度（-183 dBV2/Hz），器件建模和电路表征工程师能用它来快速、准确地表征高压（200 V）和超低频率（0.03 Hz）的器件。这种能力使其非常适用于半导体工厂开发制程设计套件，以及在器件制造过程中进行统计制程控制。运算放大器和线性稳压器的 IC 制造商还可以使用 A-LFNA 来表征其技术资料中的输出电压噪声技术指标。
