3D IC内存和所有2.5D/3D技术终于离全面商业化更近一步了!在上周于美国加州伯林盖姆市(Burlingame)召开的RTI 3D ASIP会议上，AMD和Hynix共同宣布了两家公司将携手开发HBM(高带宽内存)技术的消息。AMD高级研究员兼3D项目主管Bryan Black指出：
虽然芯片堆叠技术已在FPGA和影像传感器上普及，但是在主流计算机的CPU、GPU、以及APU上，却没有太大的动作。不过“高带宽内存”(High Bandwidth Memory)的出现，将会改变这一点。
上图分别是来自海力士(Hynix)的Minsuk Suh、AMD的Byran Black、以及镁光(Micron)的Kyle Kirb。
“转向3D是一个大胆的举动，但是AMD已经做好了这种准备”。Black宣布AMD正与SK Hynix携手开发HBM堆栈内存，目前正处于样产阶段。而AMD“也做好了与客户合作的准备”。
这些产品的JEDEC规范已经“基本完成”。
Hynix首席工程师Minsuk Suh证实，他们的3D堆叠式内存将产品，将同时有面向主内存应用的3D stacked memory、以及面向网络和图形应用的3D stacked HBM。
Suh表示，首个HBM应用将部署到GPU上，随后则是网络和HPC应用。与标准的DDR4内存相比，HBM堆栈的功耗要少30%，而尺寸也减少了37X。
