市调机构IC Insights发表全球半导体厂今年资本支出预估调查，三星、英特尔、台积电等3大厂仍是全球主要投资者，且3大厂今年资本支出就占全球资本支出总额的51.8%强。业界认为，先进制程的投资快速飙升，预估至10纳米世代时，可能只有前3大厂有能力进行大规模投资。
据统计，去年全球半导体厂资本支出总额达574.3亿美元，前10大厂占比达80%，至于前3大厂占比则高达55.5%，大者恒大的态势十分明确。今年全球半导体厂资本支出将达622.3亿元，年增率达8%，其中前10大厂占比再攀升至81%，前3大厂占比虽然降至51.8%，但仍然维持过半。
由前10大厂资本支出变化来看，去年仅有台积电、格罗方德(GlobalFoundries)、东芝、中芯等4家业者资本支出较前年增加，但今年除了三星之外，其余9家业者资本支出均高过去年水准，其中以新帝的资本支出年增率约达86%最高，主要是与东芝合资的NAND Flash厂将在今年下半年量产，且3D NAND也将开始加快研发脚步。
全球前十大半导体厂资本支出一览
美光去年并购日本DRAM厂尔必达后，今年为了加速转进20纳米世代，并提高NAND Flash产能，所以预估今年资本支出将达30.5亿美元、年增率高达58%，是成长率第2高的业者。
业界人士认为，今年虽然有9家业者的资本支出超过10亿美元规模，但前3大厂与其它业者间的差距实在太大，如三星及英特尔资本支出今年仍超过110亿美元，台积电则略低于100亿美元，几乎是第10名中芯的年度支出的10倍以上。
当然前3大厂之所以会投入如此庞大资金，一来是为了提高产能，二来则是因为先进制程的微缩投资花费愈来愈高，如20纳米晶圆厂投资金额高达70亿美元，制程研发投资高达15亿美元，已经不是一般半导体厂玩得起的游戏。
业界认为，明年全球半导体厂将进入3D架构记忆体及电晶体新时代，但记忆体制程微缩带来的成本效益已然有效，业者投资金额不太可能再放大，至于逻辑IC因进入14/16纳米鳍式场效电晶体(FinFET)世代，需要比20纳米投入更高资金进行扩产及研发，2017年进入10纳米世代后，看来只有三星、英特尔、台积电有能力进行大规模投资。
