Avago前端模块集成应用了多种高性能技术，可减小PCB基板封装尺寸，并简化便携式电子应用设备的设计。AFEM-S102模块具有低插入损耗特性，同时提供高噪声抑制，满足共存所需的苛刻要求，并减少WiFi、蓝牙以及其他电波间的干扰问题。由于对Avago 0.25μm GaAs增强模式pHEMT工艺及其领先的专有FBAR过滤技术进行有效的优化利用，该模块可为TX通道提供2.6dB的最大插入损耗，以及2110-2170MHz范围内35dB的拒斥能力。
“由于智能手机以及其他便携式电子设备都在增添更多的电波类型和频带，因此对共存的要求也越来越高，”Avago无线产品市场营销总监James Wilson这样说。“我们专有的FBAR技术可提供一流的抑制功能和插入损耗，可让OEM有效地应对这些挑战性的电波环境。AFEM-S102前端模块使用简便，是联合一流手机设计的参考方案设计而成，尤其符合WiFi 与蓝牙应用中对共存的要求。”
Avago FBAR技术与陶瓷或SAW（表面声波）滤波器以及其他竞争技术相比，可使频率滚降幅度更大，而且可外形更加紧凑。低插入损耗可降低功率放大器电流，并提高接收器的灵敏度和动态范围，因此可使手机有更长的电池寿命和通话时间，以及更加的信号质量。FBAR技术使得只在通常大小的几分之一内制造超小型的高Q值滤波器，并与其他电波组件集成成为可能。
AFEM-S102的其他产品特点
• 所有RF端口为50 ohms匹配以简化设计
• TX、RX、BT和ANT端口直流阻断
• -18dB TX定向耦合
• -30°至+85°C工作温度
产品供货情形
Avago直接销售渠道及全球分销合作伙伴现在可提供AFEM-S102前端模块样品及产品。
